如何从晶闸管外观以及芯片上判断是什么原因损坏的?
如何从晶闸管外观以及芯片上判断是什么原因损坏的?

可控硅损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。按下面介绍几种常见现象分析:

(1).电压击穿。可控硅因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

(2).电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。

(3)。di/dt(电流上升率损坏)。其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。

(4).边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。

(5).G-K电压击穿。晶闸管G-K间因不能承受反向电压而损坏,其芯片G-K间有烧焦的通路(短路痕迹)。更多有关晶闸管知识欢迎访问武汉武整整流器PK10投注官网(szfjf.com
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